+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29AS008J70BFI030

Cypress Semiconductor Corp

S29AS008J70BFI030

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fonksiyon Sayısı
1
Nominal Supply Current
12mA
Standby Currentmax
0.00003A
Command User Interface
YES
Terminal Adımı
0.8mm
Memory Width
16
Besleme Gerilimi
1.65V~1.95V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Common Flash Interface
YES
Data Bus Width
8b
Memory Interface
Parallel
Boot Block
TOP
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Sector Size
8K64K
Ambalaj
Tray
Alternate Memory Width
8
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Memory Types
Non-Volatile
Supply Voltagemax Vsup
1.95V
JESD-609 Kodu
e3
HTS Kodu
8542.32.00.51
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
ECCN Kodu
EAR99
Terminal Sayısı
48
Besleme Gerilimi
1.8V
Pin Sayısı
48
Kılıf / Paket
48-VFBGA
Memory Format
FLASH
Montaj Tipi
Surface Mount
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Memory Size
8Mb 1M x 8 512K x 16
Maks. Oturma Yüksekliği
0.8mm
Syncasync
Asynchronous
Access Time Max
70 ns
Write Cycle Time Word Page
70ns
Toggle Bit
YES
Density
8 Mb
Data Polling
YES
Number Of Sectorssize
815
Seri
AS-J

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek