Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.25
- 10+ adet$0.23
- 100+ adet$0.22
- 500+ adet$0.21
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time Max
- 70 ns
- Programming Voltage
- 3V
- Common Flash Interface
- YES
- Sector Size
- 16K8K32K64K
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- Ambalaj
- Tray
- Pin Sayısı
- 48
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Alternate Memory Width
- 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- FLASH
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Montaj
- Surface Mount
- Number Of Sectorssize
- 12131
- Boot Block
- TOP
- Uzunluk
- 8.15mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Toggle Bit
- YES
- Memory Width
- 16
- JESD-609 Kodu
- e1
- Yayın Yılı
- 2010
- Additional Feature
- TOP BOOT BLOCK
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
- Power Supplies
- 3/3.3V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Memory Interface
- Parallel
- Density
- 16 Mb
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Sayısı
- 48
- Seri
- AL-J
- Readybusy
- YES
- Genişlik
- 6.15mm
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory