Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Toggle Bit
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Width
- 16
- Supply Currentmax
- 0.03mA
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Uzunluk
- 18.4mm
- Number Of Sectorssize
- 12131
- Boot Block
- BOTTOM
- Yüzey Montaj
- YES
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Alternate Memory Width
- 8
- Memory Format
- FLASH
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Programming Voltage
- 3V
- Common Flash Interface
- YES
- Sector Size
- 16K8K32K64K
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Access Time Max
- 55 ns
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Command User Interface
- YES
- Kılıf / Paket
- 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Data Polling
- YES
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G48
- Memory Size
- 16Mb 2M x 8 1M x 16
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Seri
- AL-J
- Terminal Sayısı
- 48
- Memory Density
- 16777216 bit
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

