Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.16
- 10+ adet$0.15
- 100+ adet$0.14
- 500+ adet$0.13
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Boot Block
- TOP
- Number Of Sectorssize
- 12115
- Uzunluk
- 18.4mm
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Width
- 16
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Toggle Bit
- YES
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Pin Sayısı
- 48
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time Max
- 70 ns
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Common Flash Interface
- YES
- Sector Size
- 16K8K32K64K
- Programming Voltage
- 3V
- Montaj
- Surface Mount
- Contact Plating
- Tin
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Memory Format
- FLASH
- Alternate Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Organization
- 512KX16
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Readybusy
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Seri
- AL-J
- Terminal Sayısı
- 48
- Density
- 8 Mb
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nominal Supply Current
- 12mA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory