Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Alternate Memory Width
- 8
- Memory Format
- FLASH
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Memory Interface
- Parallel
- Programming Voltage
- 3V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time Max
- 70 ns
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 48
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Ambalaj
- Tray
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- Kılıf / Paket
- 48-VFBGA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Width
- 16
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Memory Size
- 8Mb 1M x 8 512K x 16
- Yayın Yılı
- 2009
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Usage Level
- Automotive grade
- Seri
- AL-J
- Terminal Sayısı
- 48
- Memory Density
- 8388608 bit
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
- Screening Level
- AEC-Q100
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Organization
- 512KX16
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory