Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.15
- 10+ adet$0.14
- 100+ adet$0.14
- 500+ adet$0.13
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2015
- Memory Width
- 16
- JESD-609 Kodu
- e1
- Toggle Bit
- YES
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Uzunluk
- 8.15mm
- Boot Block
- TOP
- Number Of Sectorssize
- 12115
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Memory Format
- FLASH
- ECCN Kodu
- EAR99
- Alternate Memory Width
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 48
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- Sector Size
- 16K8K32K64K
- Common Flash Interface
- YES
- Programming Voltage
- 3V
- Access Time Max
- 70 ns
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Nominal Supply Current
- 12mA
- Memory Size
- 8Mb 1M x 8 512K x 16
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Kılıf / Paket
- 48-VFBGA
- Command User Interface
- YES
- Syncasync
- Asynchronous
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Data Polling
- YES
- Parça Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory