Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- JESD-609 Kodu
- e1
- Memory Width
- 16
- Toggle Bit
- YES
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Yayın Yılı
- 2012
- Boot Block
- TOP
- Number Of Sectorssize
- 12115
- Uzunluk
- 8.15mm
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Memory Format
- FLASH
- ECCN Kodu
- EAR99
- Alternate Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Access Time Max
- 70 ns
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Sector Size
- 16K8K32K64K
- Common Flash Interface
- YES
- Programming Voltage
- 3V
- Ambalaj
- Tray
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 48
- Syncasync
- Asynchronous
- Data Polling
- YES
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Kılıf / Paket
- 48-VFBGA
- Command User Interface
- YES
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Nominal Supply Current
- 12mA
- Terminal Adımı
- 0.8mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory