Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$9.40
- 10+ adet$8.87
- 100+ adet$8.37
- 500+ adet$7.89
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Organization
- 64MX8
- Genişlik
- 6mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Clock Frequency
- 100MHz
- Memory Density
- 536870912 bit
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Seri
- Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
- Terminal Sayısı
- 24
- Uzunluk
- 8mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Terminal Adımı
- 1mm
- Yayın Yılı
- 2017
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Memory Types
- Non-Volatile
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B24
- Kılıf / Paket
- 24-VBGA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Width
- 8
- Ambalaj
- Tray
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Programming Voltage
- 3V
- Access Time
- 96ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Format
- FLASH
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory