Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.78
- 10+ adet$0.73
- 100+ adet$0.69
- 500+ adet$0.65
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Yayın Yılı
- 2016
- Memory Types
- Non-Volatile
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.8mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Memory Width
- 4
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Genişlik
- 6mm
- Organization
- 128MX4
- Supply Voltagemax Vsup
- 2V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Memory Density
- 536870912 bit
- Clock Frequency
- 133MHz
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Uzunluk
- 8mm
- Terminal Sayısı
- 8
- Seri
- FS-S
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O, QPI
- Alternate Memory Width
- 2
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Memory Format
- FLASH
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~2V
- Parallelserial
- SERIAL
- Ambalaj
- Tray
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Additional Feature
- IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X1
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Programming Voltage
- 1.8V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory