Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$14.14
- 10+ adet$13.34
- 100+ adet$12.58
- 500+ adet$11.87
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Width
- 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Currentmax
- 0.061mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Kılıf / Paket
- 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G16
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.65mm
- Yayın Yılı
- 2013
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Uzunluk
- 10.3mm
- Terminal Sayısı
- 16
- Seri
- FL-S
- Interface
- SPI, Serial
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Density
- 512 Mb
- Clock Frequency
- 133MHz
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Organization
- 64MX8
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.0003A
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Memory Format
- FLASH
- Alternate Memory Width
- 1
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Data Retention Timemin
- 20
- Page Size
- 512B
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Serial Bus Type
- SPI
- Programming Voltage
- 3V
- Additional Feature
- IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory