Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Width
- 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yayın Yılı
- 2015
- Clock Frequency
- 133MHz
- Uzunluk
- 10.3mm
- Interface
- Parallel, SPI, Serial
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.0001A
- Alternate Memory Width
- 1
- Memory Format
- FLASH
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Montaj
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time
- 8 ns
- Programming Voltage
- 3V
- Data Retention Timemin
- 20
- Page Size
- 512B
- Ambalaj
- Tray
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Pin Sayısı
- 16
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.65mm
- Syncasync
- Asynchronous
- Kılıf / Paket
- 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Nominal Supply Current
- 75mA
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Density
- 512 Mb
- Terminal Sayısı
- 16
- Seri
- FL-S
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Organization
- 64MX8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory