S25FL512SAGMFBG10

Teknik Özellikler

Memory Types

Non-Volatile

Maks. Oturma Yüksekliği

2.65mm

Supply Voltagemin Vsup

2.7V

Jesd30 Code

R-PDSO-G16

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Kılıf / Paket

16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

Memory Width

8

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~105°C TA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Adımı

1.27mm

Memory Size

512Mb 64M x 8

Memory Density

512753664 bit

Clock Frequency

133MHz

Usage Level

Automotive grade

Terminal Pozisyonu

DUAL

Uzunluk

10.3mm

Terminal Sayısı

16

Seri

Automotive, AEC-Q100, FL-S

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Genişlik

7.5mm

Organization

64MX8

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Screening Level

AEC-Q100; TS 16949

Parça Durumu

Active

Alternate Memory Width

1

HTS Kodu

8542.32.00.51

Memory Format

FLASH

Operating Mode

SYNCHRONOUS

Besleme Gerilimi

2.7V~3.6V

Parallelserial

SERIAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Memory Interface

SPI - Quad I/O

Additional Feature

ITS ALSO CONFIGURABLE AS 512MX1

Besleme Gerilimi

3V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Programming Voltage

3V

Ambalaj

Tray