Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Pin Sayısı
- 16
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Seri
- FL-P
- Page Size
- 256B
- Syncasync
- Synchronous
- JESD-609 Kodu
- e3
- Interface
- SPI, Serial
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 128Mb 16M x 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Terminal Sayısı
- 16
- Montaj
- Surface Mount
- Nominal Supply Current
- 38mA
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time
- 8 ns
- Reach Svhc
- No SVHC
- Address Bus Width
- 1b
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 11 Weeks
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Organization
- 128MX1
- Memory Format
- FLASH
- Serial Bus Type
- SPI
- Qualification Status
- Not Qualified
- Memory Types
- Non-Volatile
- Uzunluk
- 10.3mm
- Write Cycle Time Word Page
- 5μs, 3ms
- Clock Frequency
- 104MHz
- Kılıf / Paket
- 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Word Size
- 1b
- Standby Currentmax
- 0.00001A
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Memory Width
- 1
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.65mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory