Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Seri
- FL-S
- Syncasync
- Synchronous
- JESD-609 Kodu
- e3
- Interface
- SPI, Serial
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 8
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time
- 8 ns
- Address Bus Width
- 1b
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Additional Feature
- IT ALSO CONFIGURED AS 256M X 1
- Organization
- 32MX4
- Alternate Memory Width
- 2
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Size
- 128Mb 16M x 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Montaj
- Surface Mount
- Nominal Supply Current
- 75mA
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Clock Frequency
- 133MHz
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Standby Currentmax
- 0.0001A
- Word Size
- 1b
- Memory Format
- FLASH
- Serial Bus Type
- SPI
- Qualification Status
- Not Qualified
- Memory Types
- Non-Volatile
- Write Cycle Timemax Twc
- 500ms
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Programming Voltage
- 3V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory