Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 16
- Seri
- FL-S
- Interface
- SPI, Serial
- JESD-609 Kodu
- e3
- Syncasync
- Synchronous
- Alternate Memory Width
- 2
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 16
- Nominal Supply Current
- 75mA
- Memory Size
- 128Mb 16M x 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Reach Svhc
- No SVHC
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time
- 8 ns
- Additional Feature
- IT ALSO CONFIGURED AS 256M X 1
- Organization
- 32MX4
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Address Bus Width
- 1b
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Serial Bus Type
- SPI
- Memory Format
- FLASH
- Memory Types
- Non-Volatile
- Uzunluk
- 10.3mm
- Write Cycle Timemax Twc
- 500ms
- Clock Frequency
- 133MHz
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Kılıf / Paket
- 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Word Size
- 1b
- Standby Currentmax
- 0.0001A
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Yayın Yılı
- 2013
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory