Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Programming Voltage
- 3V
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Organization
- 16MX4
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Additional Feature
- IT ALSO HAVE X1 MEMORY WIDTH
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.16mm
- Memory Width
- 4
- Alternate Memory Width
- 2
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Parallelserial
- SERIAL
- Memory Size
- 64Mb 8M x 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Sayısı
- 8
- Genişlik
- 5.28mm
- Seri
- FL-L
- Yüzey Montaj
- YES
- Clock Frequency
- 108MHz
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O, QPI
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Jesd30 Code
- S-PDSO-G8
- Memory Density
- 67108864 bit
- Memory Format
- FLASH
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 5.28mm
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Memory Types
- Non-Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory