Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2V~3.6V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Seri
- F-RAM™
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Temel Parça No
- FM25V10
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Genişlik
- 3.9mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Memory Density
- 1048576 bit
- Memory Format
- FRAM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Ambalaj
- Tube
- Memory Interface
- SPI
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2012
- Standby Currentmax
- 0.00015A
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Clock Frequency
- 40MHz
- Pin Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Uzunluk
- 4.9mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- HTS Kodu
- 8542.32.00.71
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Supply Voltagemin Vsup
- 2V
- Memory Width
- 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Yüzey Montaj
- YES
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory