Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 2V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Width
- 8
- Organization
- 32KX8
- Memory Types
- Non-Volatile
- Yüzey Montaj
- YES
- Ambient Temperature Range High
- 85°C
- Terminal Kaplaması
- NICKEL PALLADIUM GOLD
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- HTS Kodu
- 8542.32.00.71
- Uzunluk
- 4.5mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Clock Frequency
- 40MHz
- Yayın Yılı
- 2004
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Yükseklik
- 800μm
- Memory Density
- 262144 bit
- Memory Format
- FRAM
- Ambalaj
- Tube
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Interface
- SPI
- Genişlik
- 4mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Parça Durumu
- Active
- Access Time
- 16 ns
- JESD-609 Kodu
- e4
- Terminal Adımı
- 0.95mm
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2V~3.6V
- Memory Size
- 256Kb 32K x 8
- Seri
- F-RAM™
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory