Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$8.01
- 10+ adet$7.56
- 100+ adet$7.13
- 500+ adet$6.73
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- SRAM
- ECCN Kodu
- EAR99
- Yayın Yılı
- 2011
- Write Cycle Time Word Page
- 90ns
- Terminal Sayısı
- 100
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Width
- 16
- Ambalaj
- Tray
- Number Of Ports
- 2
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Interface
- Parallel
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Nominal Supply Current
- 60mA
- Power Supplies
- 1.8/3V
- Memory Size
- 256Kb 16K x 16
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Density
- 256 kb
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- JESD-609 Kodu
- e1
- Io Type
- COMMON
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Temel Parça No
- CYDMX
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Access Time Max
- 90 ns
- Pin Sayısı
- 100
- Syncasync
- Asynchronous
- Standby Currentmax
- 0.000006A
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 100
- Uzunluk
- 6mm
- Kılıf / Paket
- 100-VFBGA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory