Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$7.46
- 10+ adet$7.04
- 100+ adet$6.64
- 500+ adet$6.26
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Density
- 128 kb
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- JESD-609 Kodu
- e1
- Io Type
- COMMON
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Temel Parça No
- CYDMX
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Access Time Max
- 65 ns
- Pin Sayısı
- 100
- Standby Currentmax
- 0.000006A
- Syncasync
- Asynchronous
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 100
- Uzunluk
- 6mm
- Kılıf / Paket
- 100-VFBGA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Organization
- 8KX16
- Word Size
- 16b
- Address Bus Width
- 13b
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~3.3V
- Memory Types
- Volatile
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Format
- SRAM
- Write Cycle Time Word Page
- 65ns
- Yayın Yılı
- 2011
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Sayısı
- 100
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Width
- 16
- Operating Supply Current
- 70mA
- Ambalaj
- Tray
- Number Of Ports
- 2
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Interface
- Parallel
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory