Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$8.31
- 10+ adet$7.84
- 100+ adet$7.40
- 500+ adet$6.98
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- SRAM
- Write Cycle Time Word Page
- 65ns
- ECCN Kodu
- EAR99
- Yayın Yılı
- 2011
- Terminal Sayısı
- 100
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Ambalaj
- Tray
- Memory Width
- 16
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Number Of Ports
- 2
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Montaj
- Surface Mount
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Power Supplies
- 1.8/3V
- Nominal Supply Current
- 70mA
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Memory Size
- 128Kb 8K x 16
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Density
- 128 kb
- Io Type
- COMMON
- JESD-609 Kodu
- e1
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Temel Parça No
- CYDMX
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Pin Sayısı
- 100
- Access Time Max
- 65 ns
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Syncasync
- Asynchronous
- Standby Currentmax
- 0.000006A
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Kılıf / Paket
- 100-VFBGA
- Uzunluk
- 6mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory