Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Additional Feature
- PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
- Terminal Sayısı
- 256
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Memory Format
- SRAM
- Yayın Yılı
- 2002
- Number Of Ports
- 2
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 1.5V
- Memory Interface
- Parallel
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Ambalaj
- Tray
- Memory Width
- 36
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Terminal Adımı
- 1mm
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Montaj
- Surface Mount
- Nominal Supply Current
- 780mA
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Memory Size
- 18Mb 512K x 36
- Access Time
- 4ns
- Standby Voltagemin
- 1.4V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Pin Sayısı
- 256
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Temel Parça No
- CYD18S36
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.58V
- Standby Currentmax
- 0.35A
- Syncasync
- Synchronous
- Density
- 18 Mb
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- JESD-609 Kodu
- e0
- Io Type
- COMMON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 220
- Kılıf / Paket
- 256-LBGA
- Uzunluk
- 17mm
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 256
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory