+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CYD18S18V18-200BBAXC

Cypress Semiconductor Corp

CYD18S18V18-200BBAXC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Access Time
3.3ns
Memory Size
18Mb 1M x 18
Nominal Supply Current
770mA
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Adımı
1mm
Kurşunsuz
Lead Free
Montaj
Surface Mount
Operating Supply Voltage
1.8V
Radyasyon Dayanımı
No
Ambalaj
Tray
Memory Width
18
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Montaj Tipi
Surface Mount
Besleme Gerilimi
1.5V
Memory Interface
Parallel
Number Of Ports
2
Yayın Yılı
2011
Memory Format
SRAM
Terminal Sayısı
256
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Additional Feature
PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
Memory Types
Volatile
Besleme Gerilimi
1.42V~1.58V 1.7V~1.9V
Address Bus Width
20b
Word Size
18b
Organization
1MX18
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Clock Frequency
200MHz
Maks. Oturma Yüksekliği
1.7mm
Uzunluk
17mm
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Kılıf / Paket
256-LBGA
Parça Durumu
Obsolete
Pin Sayısı
256
Io Type
COMMON
JESD-609 Kodu
e1
Fonksiyon Sayısı
1
Density
18 Mb
Syncasync
Synchronous
Standby Currentmax
0.3A

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek