CYD09S36V18-200BBXI

Teknik Özellikler

Memory Format

SRAM

Yayın Yılı

2006

Additional Feature

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V

Terminal Sayısı

256

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Ambalaj

Tray

Memory Width

36

Number Of Ports

2

Montaj Tipi

Surface Mount

Besleme Gerilimi

1.5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Memory Interface

Parallel

Terminal Adımı

1mm

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

Operating Supply Voltage

1.8V

Access Time

3.3ns

Nominal Supply Current

550mA

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Memory Size

9Mb 256K x 36

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Standby Voltagemin

1.4V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Density

9 Mb

Fonksiyon Sayısı

1

JESD-609 Kodu

e1

Io Type

COMMON

Pin Sayısı

256

Output Characteristics

3-STATE

Temel Parça No

CYD09S36

Supply Voltagemax Vsup

1.58V

Syncasync

Synchronous

Maks. Oturma Yüksekliği

1.7mm

Clock Frequency

200MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kılıf / Paket

256-LBGA

Uzunluk

17mm