Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$107.35
- 10+ adet$101.27
- 100+ adet$95.54
- 500+ adet$90.13
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Standby Voltagemin
- 1.4V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Io Type
- COMMON
- JESD-609 Kodu
- e1
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Density
- 9 Mb
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 256
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Temel Parça No
- CYD09S18
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.58V
- Clock Frequency
- 200MHz
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.7mm
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Kılıf / Paket
- 256-LBGA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Uzunluk
- 17mm
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 256
- Memory Types
- Volatile
- Word Size
- 18b
- Besleme Gerilimi
- 1.42V~1.58V 1.7V~1.9V
- Address Bus Width
- 19b
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yayın Yılı
- 2006
- Memory Format
- SRAM
- Terminal Sayısı
- 256
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Additional Feature
- PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
- Ambalaj
- Tray
- Memory Width
- 18
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 4 (72 Hours)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 1.5V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Memory Interface
- Parallel
- Number Of Ports
- 2
- Terminal Adımı
- 1mm
- Kurşunsuz
- Lead Free
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory