Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tray
- Memory Width
- 18
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Besleme Gerilimi
- 1.5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Interface
- Parallel
- Number Of Ports
- 2
- Yayın Yılı
- 2006
- Memory Format
- SRAM
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Sayısı
- 256
- Additional Feature
- PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
- Access Time
- 4ns
- Memory Size
- 9Mb 512K x 18
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Nominal Supply Current
- 610mA
- Terminal Adımı
- 1mm
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- JESD-609 Kodu
- e1
- Io Type
- COMMON
- Density
- 9 Mb
- Syncasync
- Synchronous
- Temel Parça No
- CYD09S18
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Pin Sayısı
- 256
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.58V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Standby Voltagemin
- 1.4V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Types
- Volatile
- Word Size
- 18b
- Address Bus Width
- 19b
- Besleme Gerilimi
- 1.42V~1.58V 1.7V~1.9V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Clock Frequency
- 167MHz
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory