Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$377.56
- 10+ adet$356.19
- 100+ adet$336.02
- 500+ adet$317.00
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Number Of Ports
- 2
- Address Bus Width
- 21b
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- JESD-609 Kodu
- e0
- Montaj
- Surface Mount
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 450 ps
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Yayın Yılı
- 2003
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Terminal Adımı
- 1mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Temel Parça No
- CY7C2663
- Memory Format
- SRAM
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Organization
- 8MX18
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Syncasync
- Synchronous
- Uzunluk
- 17mm
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Memory Width
- 18
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Standby Voltagemin
- 1.7V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Pin Sayısı
- 165
- Word Size
- 18b
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Types
- Volatile
- Io Type
- SEPARATE
- Ambalaj
- Tube
- Terminal Sayısı
- 165
- Standby Currentmax
- 0.5A
- Clock Frequency
- 550MHz
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Pin Sayısı
- 165
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory