+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C25632KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C25632KV18-550BZXI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Format
SRAM
Organization
4MX18
Kılıf / Paket
165-LBGA
Syncasync
Synchronous
Uzunluk
15mm
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Besleme Gerilimi
1.8V
Operating Supply Voltage
1.8V
Memory Width
18
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Supply Voltagemin Vsup
1.7V
Number Of Ports
2
Address Bus Width
20b
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
JESD-609 Kodu
e1
Fonksiyon Sayısı
1
Montaj
Surface Mount
Access Time
450 ps
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Yayın Yılı
2014
Output Characteristics
3-STATE
Temel Parça No
CY7C25632
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Terminal Adımı
1mm
Terminal Sayısı
165
Clock Frequency
550MHz
Standby Currentmax
0.38A
Supply Voltagemax Vsup
1.9V
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Density
72 Mb
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Memory Interface
Parallel
Memory Size
72Mb 4M x 18
Parça Durumu
Active
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Standby Voltagemin
1.7V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek