Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$76.63
- 10+ adet$72.29
- 100+ adet$68.20
- 500+ adet$64.34
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- JESD-609 Kodu
- e1
- Number Of Ports
- 2
- Address Bus Width
- 19b
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Yayın Yılı
- 2003
- Access Time
- 2.5 ns
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Adımı
- 1mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Temel Parça No
- CY7C2264
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Organization
- 1MX36
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Format
- SRAM
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Uzunluk
- 15mm
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Memory Width
- 36
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Pin Sayısı
- 165
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Standby Voltagemin
- 1.7V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Types
- Volatile
- Yüzey Montaj
- YES
- Ambalaj
- Tray
- Io Type
- SEPARATE
- Pin Sayısı
- 165
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Clock Frequency
- 366MHz
- Terminal Sayısı
- 165
- Memory Interface
- Parallel
- Density
- 36 Mb
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory