+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1512KV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1512KV18-250BZC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Kurşunsuz
Contains Lead
Terminal Kaplaması
Tin/Lead (Sn/Pb)
Kurşunsuz Kodu
no
Parça Durumu
Active
Supply Voltagemin Vsup
1.7V
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Memory Size
72Mb 4M x 18
Pin Sayısı
165
Yayın Yılı
2003
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Temel Parça No
CY7C1512
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
20
RoHS Durumu
Non-RoHS Compliant
Memory Format
SRAM
Montaj
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Access Time
450 ps
Supply Voltagemax Vsup
1.9V
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Output Characteristics
3-STATE
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
235
Terminal Sayısı
165
Memory Types
Volatile
Pin Sayısı
165
Radyasyon Dayanımı
No
Syncasync
Synchronous
Montaj Tipi
Surface Mount
Besleme Gerilimi
1.8V
Terminal Adımı
1mm
Address Bus Width
21b
Kılıf / Paket
165-LBGA
Number Of Ports
2
Io Type
SEPARATE
Clock Frequency
250MHz
Operating Supply Voltage
1.8V
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Memory Width
18
Standby Voltagemin
1.7V
Density
72 Mb
JESD-609 Kodu
e0

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek