Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$15.56
- 10+ adet$14.68
- 100+ adet$13.85
- 500+ adet$13.07
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Terminal Sayısı
- 209
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 209
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Format
- SRAM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tray
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Access Time
- 3ns
- Yayın Yılı
- 2004
- Pin Sayısı
- 209
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Memory Size
- 72Mb 1M x 72
- Temel Parça No
- CY7C1474
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Parça Durumu
- Active
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Word Size
- 72b
- Seri
- NoBL™
- Memory Interface
- Parallel
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 22mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.96mm
- Nominal Supply Current
- 500mA
- Standby Voltagemin
- 3.14V
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Density
- 72 Mb
- Organization
- 1MX72
- JESD-609 Kodu
- e1
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Clock Frequency
- 200MHz
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory