Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$13.17
- 10+ adet$12.43
- 100+ adet$11.72
- 500+ adet$11.06
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Standby Voltagemin
- 3.14V
- Memory Format
- SRAM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Qualification Status
- Not Qualified
- Montaj
- Surface Mount
- Density
- 72 Mb
- Ambalaj
- Tray
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Organization
- 4MX18
- Access Time
- 3.4ns
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Word Size
- 18b
- Seri
- NoBL™
- Terminal Sayısı
- 100
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Syncasync
- Synchronous
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Pin Sayısı
- 100
- Nominal Supply Current
- 450mA
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Address Bus Width
- 22b
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Number Of Ports
- 2
- Yayın Yılı
- 2004
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory