Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$15.23
- 10+ adet$14.37
- 100+ adet$13.55
- 500+ adet$12.79
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Density
- 72 Mb
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Format
- SRAM
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Access Time
- 3ns
- Organization
- 4MX18
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tray
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Seri
- NoBL™
- Terminal Sayısı
- 100
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Word Size
- 18b
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Syncasync
- Synchronous
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nominal Supply Current
- 450mA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Pin Sayısı
- 100
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Address Bus Width
- 22b
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Number Of Ports
- 2
- Io Type
- COMMON
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 2.375V~2.625V
- Operating Supply Voltage
- 2.5V
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Clock Frequency
- 200MHz
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory