Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$127.40
- 10+ adet$120.18
- 100+ adet$113.38
- 500+ adet$106.96
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.625V
- Access Time
- 6.5ns
- Ambalaj
- Tray
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Format
- SRAM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 100
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Sayısı
- 100
- Memory Types
- Volatile
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.375V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Parça Durumu
- Obsolete
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Temel Parça No
- CY7C1471
- Yayın Yılı
- 2004
- Pin Sayısı
- 100
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Memory Size
- 72Mb 2M x 36
- Organization
- 2MX36
- JESD-609 Kodu
- e3
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Density
- 72 Mb
- Standby Voltagemin
- 2.38V
- Uzunluk
- 20mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Nominal Supply Current
- 305mA
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Seri
- NoBL™
- Memory Interface
- Parallel
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Word Size
- 36b
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory