Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$167.85
- 10+ adet$158.34
- 100+ adet$149.38
- 500+ adet$140.93
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Memory Format
- SRAM
- Montaj
- Surface Mount
- Density
- 72 Mb
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 6.5ns
- Organization
- 2MX36
- JESD-609 Kodu
- e4
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Word Size
- 36b
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 225
- Seri
- NoBL™
- Terminal Sayısı
- 165
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 165
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nominal Supply Current
- 305mA
- Syncasync
- Synchronous
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Terminal Kaplaması
- NICKEL PALLADIUM GOLD
- Address Bus Width
- 21b
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Parça Durumu
- Active
- Io Type
- COMMON
- Number Of Ports
- 1
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Size
- 72Mb 2M x 36
- Yayın Yılı
- 2004
- Pin Sayısı
- 165
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Clock Frequency
- 133MHz
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory