Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$17.64
- 10+ adet$16.64
- 100+ adet$15.70
- 500+ adet$14.81
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Word Size
- 36b
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Seri
- NoBL™
- Terminal Sayısı
- 100
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Syncasync
- Synchronous
- Uzunluk
- 20mm
- Nominal Supply Current
- 500mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Pin Sayısı
- 100
- Memory Format
- SRAM
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Density
- 72 Mb
- Montaj
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tray
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- JESD-609 Kodu
- e3
- Organization
- 2MX36
- Access Time
- 3ns
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Clock Frequency
- 200MHz
- Yayın Yılı
- 2004
- Pin Sayısı
- 100
- Memory Size
- 72Mb 2M x 36
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Temel Parça No
- CY7C1470
- Memory Width
- 36
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory