Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$16.04
- 10+ adet$15.13
- 100+ adet$14.27
- 500+ adet$13.47
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Format
- SRAM
- Access Time
- 3ns
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.625V
- Ambalaj
- Tray
- Terminal Sayısı
- 100
- Memory Types
- Volatile
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Pin Sayısı
- 100
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Syncasync
- Synchronous
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Parça Durumu
- Active
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.375V
- Memory Size
- 72Mb 2M x 36
- Pin Sayısı
- 100
- Yayın Yılı
- 2004
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Temel Parça No
- CY7C1470
- Density
- 72 Mb
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Standby Voltagemin
- 2.38V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Organization
- 2MX36
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Seri
- NoBL™
- Memory Interface
- Parallel
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Word Size
- 36b
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Nominal Supply Current
- 450mA
- Uzunluk
- 20mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Address Bus Width
- 21b
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory