Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$47.95
- 10+ adet$45.24
- 100+ adet$42.68
- 500+ adet$40.26
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Nominal Supply Current
- 335mA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Uzunluk
- 20mm
- Word Size
- 36b
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Interface
- Parallel
- Seri
- NoBL™
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- JESD-609 Kodu
- e3
- Organization
- 1MX36
- Standby Voltagemin
- 2.38V
- Density
- 36 Mb
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Memory Width
- 36
- Clock Frequency
- 167MHz
- Operating Supply Voltage
- 2.5V
- Besleme Gerilimi
- 2.375V~2.625V
- Number Of Ports
- 4
- Io Type
- COMMON
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Address Bus Width
- 20b
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 100
- Syncasync
- Synchronous
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Types
- Volatile
- Terminal Sayısı
- 100
- Standby Currentmax
- 0.12A
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 3.4ns
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.625V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Memory Format
- SRAM
- Montaj
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory