+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1425KV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1425KV18-250BZC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Ambalaj
Tray
JESD-609 Kodu
e0
Organization
4MX9
Access Time
450 ps
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Supply Voltagemax Vsup
1.9V
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
20
RoHS Durumu
Non-RoHS Compliant
Standby Voltagemin
1.7V
Memory Format
SRAM
Montaj
Surface Mount
Density
36 Mb
Fonksiyon Sayısı
1
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Pin Sayısı
165
Nominal Supply Current
590mA
Radyasyon Dayanımı
No
Uzunluk
15mm
Syncasync
Synchronous
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Word Size
9b
Output Characteristics
3-STATE
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
235
Terminal Sayısı
165
Memory Interface
Parallel
Memory Types
Volatile
Parça Durumu
Active
Supply Voltagemin Vsup
1.7V
Number Of Ports
2
Io Type
SEPARATE
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Montaj Tipi
Surface Mount
Besleme Gerilimi
1.8V
Terminal Adımı
1mm
Terminal Kaplaması
Tin/Lead (Sn/Pb)
Address Bus Width
21b
Kılıf / Paket
165-LBGA
Memory Width
9
Temel Parça No
CY7C1425

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek