+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1418KV18-250BZI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1418KV18-250BZI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-609 Kodu
e0
Access Time
450 ps
Standby Currentmax
0.26A
Ambalaj
Tray
Density
36 Mb
Montaj
Surface Mount
RoHS Durumu
Non-RoHS Compliant
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
20
Memory Format
SRAM
Radyasyon Dayanımı
No
Nominal Supply Current
430mA
Pin Sayısı
165
Syncasync
Synchronous
Fonksiyon Sayısı
1
Memory Types
Volatile
Memory Interface
Parallel
Terminal Sayısı
165
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Output Characteristics
3-STATE
Word Size
18b
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
235
Io Type
COMMON
Number Of Ports
1
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Parça Durumu
Active
Address Bus Width
21b
Kılıf / Paket
165-LBGA
Besleme Gerilimi
1.8V
Montaj Tipi
Surface Mount
Terminal Kaplaması
Tin/Lead (Sn/Pb)
Memory Width
18
Temel Parça No
CY7C1418
Operating Supply Voltage
1.8V
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Memory Size
36Mb 2M x 18
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Clock Frequency
250MHz
Yayın Yılı
2003

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek