+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1413KV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1413KV18-250BZC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fonksiyon Sayısı
1
Uzunluk
15mm
Syncasync
Synchronous
Pin Sayısı
165
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Nominal Supply Current
470mA
Radyasyon Dayanımı
No
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
235
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Word Size
18b
Output Characteristics
3-STATE
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Terminal Sayısı
165
Memory Types
Volatile
Memory Interface
Parallel
Ambalaj
Tray
Supply Voltagemax Vsup
1.9V
JESD-609 Kodu
e0
Access Time
450 ps
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Standby Voltagemin
1.7V
Memory Format
SRAM
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
20
RoHS Durumu
Non-RoHS Compliant
Montaj
Surface Mount
Density
36 Mb
Temel Parça No
CY7C1413
Memory Width
18
Pin Sayısı
165
Yayın Yılı
2003
Clock Frequency
250MHz
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Memory Size
36Mb 2M x 18
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Operating Supply Voltage
1.8V
Supply Voltagemin Vsup
1.7V
Parça Durumu
Active
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Number Of Ports
2
Io Type
SEPARATE

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek