Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$5.50
- 10+ adet$5.19
- 100+ adet$4.89
- 500+ adet$4.62
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Word Size
- 18b
- Terminal Sayısı
- 165
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 15mm
- Syncasync
- Synchronous
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Nominal Supply Current
- 750mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Standby Voltagemin
- 1.7V
- Memory Format
- SRAM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- ECCN Kodu
- 3A991
- Montaj
- Surface Mount
- Density
- 36 Mb
- Ambalaj
- Tray
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- JESD-609 Kodu
- e1
- Access Time
- 450 ps
- Additional Feature
- BURST ARCHITECTURE
- Pin Sayısı
- 165
- Yayın Yılı
- 2003
- Clock Frequency
- 333MHz
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Memory Size
- 36Mb 2M x 18
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Temel Parça No
- CY7C1412
- Memory Width
- 18
- Terminal Adımı
- 1mm
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory