Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.53
- 10+ adet$2.38
- 100+ adet$2.25
- 500+ adet$2.12
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pin Sayısı
- 100
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Syncasync
- Synchronous
- Terminal Sayısı
- 100
- Memory Types
- Volatile
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Access Time
- 8.5ns
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Standby Currentmax
- 0.07A
- Genişlik
- 14mm
- Ambalaj
- Tray
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Format
- SRAM
- Temel Parça No
- CY7C1381
- Memory Size
- 18Mb 512K x 36
- Yayın Yılı
- 2004
- Pin Sayısı
- 100
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Parça Durumu
- Obsolete
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Nominal Supply Current
- 175mA
- Uzunluk
- 20mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Interface
- Parallel
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Word Size
- 36b
- Organization
- 512KX36
- JESD-609 Kodu
- e3
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Density
- 18 Mb
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory