Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$20.37
- 10+ adet$19.22
- 100+ adet$18.13
- 500+ adet$17.10
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Uzunluk
- 20mm
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Sayısı
- 100
- Seri
- NoBL™
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Jesd30 Code
- R-PQFP-G100
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Organization
- 1MX18
- Access Time
- 8.5ns
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Genişlik
- 14mm
- Ambalaj
- Tray
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.B
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Format
- SRAM
- Memory Width
- 18
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Memory Size
- 18Mb 1M x 18
- Memory Density
- 18874368 bit
- Yayın Yılı
- 2004
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Clock Frequency
- 100MHz
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Parça Durumu
- Active
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory