Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Density
- 18 Mb
- Standby Voltagemin
- 3.14V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Organization
- 1MX18
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Seri
- NoBL™
- Memory Interface
- Parallel
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Word Size
- 18b
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Nominal Supply Current
- 275mA
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Address Bus Width
- 20b
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Number Of Ports
- 2
- Io Type
- COMMON
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Clock Frequency
- 167MHz
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Format
- SRAM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Access Time
- 3.4ns
- Ambalaj
- Tray
- Standby Currentmax
- 0.07A
- Genişlik
- 14mm
- Terminal Sayısı
- 100
- Memory Types
- Volatile
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 100
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Kurşunsuz
- Lead Free
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory