Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Access Time
- 6.5ns
- Organization
- 512KX36
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tray
- Genişlik
- 14mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.B
- Memory Format
- SRAM
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Uzunluk
- 20mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Jesd30 Code
- R-PQFP-G100
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Seri
- NoBL™
- Terminal Sayısı
- 100
- Yüzey Montaj
- YES
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Parça Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Width
- 36
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Clock Frequency
- 133MHz
- Memory Density
- 18874368 bit
- Yayın Yılı
- 2004
- Memory Size
- 18Mb 512K x 36
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory