Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tray
- Standby Currentmax
- 0.07A
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Access Time
- 3ns
- Memory Format
- SRAM
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Montaj
- Surface Mount
- Syncasync
- Synchronous
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 100
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Types
- Volatile
- Terminal Sayısı
- 100
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Temel Parça No
- CY7C1370
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Pin Sayısı
- 100
- Yayın Yılı
- 2011
- Memory Size
- 18Mb 512K x 36
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Organization
- 512KX36
- JESD-609 Kodu
- e3
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Density
- 18 Mb
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 20mm
- Nominal Supply Current
- 300mA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Word Size
- 36b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Interface
- Parallel
- Seri
- NoBL™
- Io Type
- COMMON
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory