Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Syncasync
- Asynchronous
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nominal Supply Current
- 160mA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 5.08mm
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Word Size
- 8b
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Sayısı
- 52
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Standby Currentmax
- 0.015A
- Access Time Max
- 55 ns
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- SRAM
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Density
- 16 kb
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Width
- 8
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Yayın Yılı
- 2005
- Pin Sayısı
- 52
- Memory Size
- 16Kb 2K x 8
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Number Of Ports
- 2
- Io Type
- COMMON
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 52-LCC (J-Lead)
- Power Supplies
- 5V
- Address Bus Width
- 22b
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory