Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Memory Format
- SRAM
- Parça Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Address Bus Width
- 19b
- Memory Width
- 18
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- JESD-609 Kodu
- e4
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Nominal Supply Current
- 250mA
- Pin Sayısı
- 100
- Syncasync
- Synchronous
- Density
- 9 Mb
- Memory Types
- Volatile
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Yayın Yılı
- 2003
- Montaj
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 100
- Io Type
- COMMON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Clock Frequency
- 133MHz
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Standby Currentmax
- 0.04A
- Temel Parça No
- CY7C1363
- Radyasyon Dayanımı
- No
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Standby Voltagemin
- 3.14V
- Memory Size
- 9Mb 512K x 18
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory