Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$9.68
- 10+ adet$9.14
- 100+ adet$8.62
- 500+ adet$8.13
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Memory Format
- SRAM
- Parça Durumu
- Obsolete
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Density
- 9 Mb
- Pin Sayısı
- 100
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Organization
- 256KX36
- Clock Frequency
- 133MHz
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 100
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yayın Yılı
- 2003
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Word Size
- 36b
- Number Of Ports
- 4
- Ambalaj
- Tray
- Uzunluk
- 20mm
- Address Bus Width
- 18b
- Memory Width
- 36
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 100
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Nominal Supply Current
- 250mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Memory Interface
- Parallel
- Temel Parça No
- CY7C1361
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Montaj
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory